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3D-optimized SRAM macro design and application to memory-on-logic 3D-IC at advanced nodes

par Chen, Rongmei;Weckx, Pieter;Salahuddin, Shairfe Muhammad;Kim, Soon-wook;Sisto, Giuliano ;Van Der Plas, Geert;Stucchi, Michele;Baert, Rogier;Debacker, Peter;Na, Myung-hee;Ryckaert, Julien;Milojevic, Dragomir ;Beyne, Eric
Référence Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2020-December, page (15.2.1-15.2.4), 9371905
Publication Publié, 2020-12-01

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Titre:	3D-optimized SRAM macro design and application to memory-on-logic 3D-IC at advanced nodes
Auteur:	Chen, Rongmei; Weckx, Pieter; Salahuddin, Shairfe Muhammad; Kim, Soon-wook; Sisto, Giuliano; Van Der Plas, Geert; Stucchi, Michele; Baert, Rogier; Debacker, Peter; Na, Myung-hee; Ryckaert, Julien; Milojevic, Dragomir; Beyne, Eric
Informations sur la publication:	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2020-December, page (15.2.1-15.2.4), 9371905
Statut de publication:	Publié, 2020-12-01
Sujet CREF:	Chimie des solides
	Métallurgie
	Physique de l'état solide
	Electronique et électrotechnique
	Physique de l'état condense [struct., électronique, etc.]
	Physique de l'état condense [struct., propr. thermiques, etc.]
	Physique de l'état condense [supraconducteur]
Note générale:	SCOPUS: cp.p
Langue:	Anglais
Identificateurs:	urn:issn:0163-1918
	info:doi/10.1109/IEDM13553.2020.9371905
	info:scp/85102950445