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A general approach for hysteresis-free, operationally stable metal halide perovskite field effect transistors

par Senanayak, Satyaprasad P;Abdi-Jalebi, Mojtaba;Kamboj, Varun S;Carey, Remington;Shivanna, Ravichandran;Tian, Tian;Schweicher, Guillaume ;Wang, Junzhan;Giesbrecht, Nadja;Di Nuzzo, Daniele;Beere, Harvey E;Docampo, Pablo;Ritchie, David A;Fairen-Jimenez, David;Friend, Richard;Sirringhaus, Henning
Référence Science advances, 6, 15, eaaz4948
Publication Publié, 2020-04-10

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Titre:	A general approach for hysteresis-free, operationally stable metal halide perovskite field effect transistors
Auteur:	Senanayak, Satyaprasad P; Abdi-Jalebi, Mojtaba; Kamboj, Varun S; Carey, Remington; Shivanna, Ravichandran; Tian, Tian; Schweicher, Guillaume; Wang, Junzhan; Giesbrecht, Nadja; Di Nuzzo, Daniele; Beere, Harvey E; Docampo, Pablo; Ritchie, David A; Fairen-Jimenez, David; Friend, Richard; Sirringhaus, Henning
Informations sur la publication:	Science advances, 6, 15, eaaz4948
Statut de publication:	Publié, 2020-04-10
Sujet CREF:	Physique
Langue:	Anglais
Identificateurs:	urn:issn:2375-2548
	info:doi/10.1126/sciadv.aaz4948