par Schweicher, Guillaume
;Lemaur, Vincent;Niebel, Claude
;Ruzié, Christian
;Diao, Ying;Goto, Osamu;Lee, Wen Ya;Kim, Yeongin;Arlin, Jean-Baptiste
;Karpinska, Jolanta
;Kennedy, Alan Robert;Parkin, Sean R.;Olivier, Yoann;Mannsfeld, Stefan;Cornil, Jérôme
;Geerts, Yves
;Bao, Zhenan
Référence Advanced materials, 27, 19, page (3066-3072)
Publication Publié, 2015-05-20







Référence Advanced materials, 27, 19, page (3066-3072)
Publication Publié, 2015-05-20
Article révisé par les pairs
Titre: |
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Auteur: | Schweicher, Guillaume; Lemaur, Vincent; Niebel, Claude; Ruzié, Christian; Diao, Ying; Goto, Osamu; Lee, Wen Ya; Kim, Yeongin; Arlin, Jean-Baptiste; Karpinska, Jolanta; Kennedy, Alan Robert; Parkin, Sean R.; Olivier, Yoann; Mannsfeld, Stefan; Cornil, Jérôme; Geerts, Yves; Bao, Zhenan |
Informations sur la publication: | Advanced materials, 27, 19, page (3066-3072) |
Statut de publication: | Publié, 2015-05-20 |
Sujet CREF: | Mécanique sectorielle |
Métallurgie et mines | |
Technologie des autres industries | |
Mots-clés: | high mobility |
organic semiconductor | |
organic transistor | |
single-crystal | |
Note générale: | SCOPUS: ar.j |
Langue: | Anglais |
Identificateurs: | urn:issn:0935-9648 |
info:doi/10.1002/adma.201500322 | |
info:scp/85027939139 |