• Citer

Calculation of Grain Boundary Free Energy by Molecular Dynamics and Tests on Silicon Perfect Crystal

par Ralantosson, N.;Hairie, A.;Hairie, F.;Hardouin Duparc, O.;Hou, Marc ;Nouet, G.;Paumier, E.
Référence Solid State Phenomena, 37-38, page (97-102)
Publication Publié, 1994

Article révisé par les pairs

• Détails

Titre:	Calculation of Grain Boundary Free Energy by Molecular Dynamics and Tests on Silicon Perfect Crystal
Auteur:	Ralantosson, N.; Hairie, A.; Hairie, F.; Hardouin Duparc, O.; Hou, Marc; Nouet, G.; Paumier, E.
Informations sur la publication:	Solid State Phenomena, 37-38, page (97-102)
Statut de publication:	Publié, 1994
Sujet CREF:	Physique
Note publication spéciale:	Polycrystalline Semiconductors III
Langue:	Anglais
Identificateurs:	urn:issn:1012-0394
	mho-0048