par Schweicher, Guillaume ;D'Avino, Gabriele;Ruggiero, Michael T.;Harkin, David J.;Broch, Katharina;Venkateshvaran, Deepak;Guoming, Liu;Richard, Audrey ;Ruzié, Christian ;Armstrong, Jeff;Kennedy, Alan Robert;Shankland, Kenneth;Takimiya, Kazuo;Geerts, Yves ;Zeitler, Axel;Fratini, Simone;Sirringhaus, Henning
Référence Advanced materials, 31, 43, 1902407
Publication Publié, 2019-10-25
Référence Advanced materials, 31, 43, 1902407
Publication Publié, 2019-10-25
Article révisé par les pairs
Titre: |
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Auteur: | Schweicher, Guillaume; D'Avino, Gabriele; Ruggiero, Michael T.; Harkin, David J.; Broch, Katharina; Venkateshvaran, Deepak; Guoming, Liu; Richard, Audrey; Ruzié, Christian; Armstrong, Jeff; Kennedy, Alan Robert; Shankland, Kenneth; Takimiya, Kazuo; Geerts, Yves; Zeitler, Axel; Fratini, Simone; Sirringhaus, Henning |
Informations sur la publication: | Advanced materials, 31, 43, 1902407 |
Statut de publication: | Publié, 2019-10-25 |
Sujet CREF: | Chimie |
Mots-clés: | charge transport |
dynamic disorder | |
field‐effect transistors | |
molecular design | |
organic electronics | |
transient localization scenario | |
Note générale: | SCOPUS: ar.j |
Langue: | Anglais |
Identificateurs: | urn:issn:0935-9648 |
info:doi/10.1002/adma.201902407 | |
info:scp/85073674473 | |
info:pmid/31512304 |