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High Mobility in Solution-Processed 2,7-Dialkyl-[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene-Based Field-Effect Transistors Prepared with a Simplified Deposition Method

par Colella, Silvia;Ruzié, Christian ;Schweicher, Guillaume ;Arlin, Jean-Baptiste ;Karpinska, Jolanta ;Geerts, Yves ;Samori, Paolo
Référence ChemPlusChem, 79, 3, page (371-374)
Publication Publié, 2014-03

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Titre:	High Mobility in Solution-Processed 2,7-Dialkyl-[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene-Based Field-Effect Transistors Prepared with a Simplified Deposition Method
Auteur:	Colella, Silvia; Ruzié, Christian; Schweicher, Guillaume; Arlin, Jean-Baptiste; Karpinska, Jolanta; Geerts, Yves; Samori, Paolo
Informations sur la publication:	ChemPlusChem, 79, 3, page (371-374)
Statut de publication:	Publié, 2014-03
Sujet CREF:	Métallurgie
Mots-clés:	benzothiophenes
	dielectrics
	organic field-effect transistors
	ozone treatment
	solution processing
Note générale:	SCOPUS: ar.j
	FLWNA
Langue:	Anglais
Identificateurs:	urn:issn:2192-6506
	info:doi/10.1002/cplu.201300414
	info:scp/84896387496